文献链接：浙江Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se（Sci.Adv.,2018,DOI:10.1126/sciadv.aat8355）北京大学彭海琳教授和牛津大学陈宇林教授为该工作的共同通讯作者，浙江并列第一作者为陈成博士（牛津）、王美晓博士（上海科技大学）及吴金雄博士（北京大学）。
建立了精确调控石墨烯结构的范德华外延、金华技术限域分子流、金华技术持续氧辅助等一系列生长方法，创造了石墨烯单晶生长速度的世界纪录，实现了4英寸无褶皱石墨烯单晶晶圆、大面积石墨烯薄膜的连续批量制备和绿色无损转移，实现了旋转双层石墨烯光电器件研制、单晶石墨烯PN结的调制掺杂和光热电机制的高效能量转换。该工作的合作者还包括上海科技大学柳仲恺、全域薛加明和李刚教授、全域以色列魏茨曼科学研究所颜丙海教授、上海交通大学贾金峰教授以及南京大学袁洪涛教授等。
曾荣获OutstandingYoungResearcherAward(MacronixPrize)、虚拟WilliamE.andDianeM.SpicerYoungInvestigatorAward等奖项。课题组主要利用角分辨光电子能谱研究新型材料（拓扑量子材料、电厂非常规超导体、低维量子材料等）的电子结构探索工作。2018年9月14日，评估相关成果以题为Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se在线发表在ScienceAdvances上。
材料牛网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，论证欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱[email protected]。主要从事高迁移率二维材料(石墨烯、验收拓扑绝缘体、金属硫氧族材料)的制备科学及器件应用研究。
通过解析这一结构，浙江研究人员发现硒氧化铋的带隙展现出不同寻常的稳健性和空间一致性——即便在分裂样品表面也没有出现表面态或者边缘态。
与包括石墨烯在内的几种主要二维材料相比，金华技术具有二维层状结构的硒氧化铋不仅载流子迁移率、金华技术带隙等方面的特点突出，基于其制备的器件还能够在室温低电压条件下工作，在高速低功耗设备、红外光探测等方面均展现出优异的性能。全域而具有微纳米结构的超疏水表面表现出的荷叶效应可以进一步改善液滴的移除
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